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- 其他產品
高真空磁控濺射鍍膜儀設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
高真空磁控濺射鍍膜儀技術參數：
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真空室 |
梨型真空室，尺寸? 560×350mm |
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真空系統配置 |
復合分子泵、機械泵、閘板閥 |
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極限壓力 |
2.0 * 10-5 Pa （經烘烤除氣后） |
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恢復真空時間： |
40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。（系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）
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磁控靶組件 |
永磁靶5套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；靶與樣品距離 90~130mm可調；
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基片水冷加熱公轉臺 |
基片結構 |
設計6個工位，其中１個工位安裝加熱爐，其余工位為水冷基片臺 |
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樣品尺寸 |
?30mm，可放置6片 |
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運動方式 |
0?360℃往復回轉 |
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加熱 |
基片加熱*高溫度600℃±1℃ |
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基片負偏壓 |
－200Ｖ |
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氣路系統 |
質 量 流 量 控制器 2 路 |
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計算機控制系統 |
控制樣品轉動，擋板開關，靶位確認等 |
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設備占地面積 |
主機 |
1300×800mm2 |
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電控柜 |
700×700m2 |
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