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- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
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- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
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- 金剛石切割機(jī)
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- 箱式氣氛爐
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- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
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真空室 |
圓筒型前開門結(jié)構(gòu)，尺寸?450×40mm |
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真空系統(tǒng)配置 |
復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、氣動(dòng)閘板閥、進(jìn)口SMC氣缸節(jié)流閥 |
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極限壓力 |
≤6.6 *10-6 Pa。（經(jīng)烘烤除氣后） |
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恢復(fù)真空時(shí)間 |
25 分鐘可達(dá)到≤6.6×10-6 Pa。（短時(shí)間撰茲大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣） |
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磁控靶組件 |
永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；每個(gè)靶配進(jìn)口 SMC 旋轉(zhuǎn)氣動(dòng)擋板 |
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單基片加熱臺(tái) |
樣品尺寸 |
?4英寸 |
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運(yùn)動(dòng)方式 |
基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 0－30 轉(zhuǎn)/分 |
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加熱 |
進(jìn)口加熱絲加熱，zui高加熱溫度 600℃ ±1℃ |
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擋板形式 |
進(jìn)口 SMC 轉(zhuǎn)角氣缸控制 |
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氣路系統(tǒng) |
質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路 |
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計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) |
采用 PLC ＋工控機(jī)＋觸摸屏全自動(dòng)控制方式 |
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可選配件 |
膜厚儀、氣泵、水冷循環(huán)機(jī) |
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設(shè)備占地面積 |
主機(jī) |
I000×1800mm2 |
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電控柜 |
900×600mm2 |
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