- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作.
RTP快速退火爐主要功能和特點:
1、更短的工藝時間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時雜質(zhì)運動zui小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.
RTP快速退火爐應用領域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐技術參數(shù)：
|
產(chǎn)品名稱 |
RTP快速退火爐【管式】 |
|
產(chǎn)品型號 |
CY-RTP1200-T4-H |
|
有效尺寸 |
Φ100mm |
|
基片尺寸 |
≦4英寸 |
|
升溫速率 |
B型為標準配置：≦200℃/S,供電要求:AC380V/60Hz，功率18KW |
|
降溫速率 |
200℃以上≤25min |
|
控溫模式 |
可預設曲線，按流程控溫 |
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
工作溫度 |
≦1000℃ |
|
測溫位置 |
測溫點置于樣品處 |
|
密封法蘭 |
水冷式 |
|
工作真空 |
10-3Pa～105Pa均可 |
|
可通氣氛 |
可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體 |
|
真空測量 |
標準配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
|
選裝配置：復合真空計，量程10-5Pa～105Pa |
|
|
真空系統(tǒng) |
標準配置：VRD-4真空泵1臺 |
|
供電要求 |
要求配備32A2P空氣開關，電源電壓AC380V/60Hz |
|
水冷機組 |
水箱容量9L，zui大揚程10m |
|
整機尺寸 |
1200mm x 610mm x 570mm |
|
包裝尺寸 |
1475*700*800 |
|
包裝重量 |
180Kg |
|
隨機配件 |
1、說明書1本 |
|
2、隨機配件1套 |
|
|
3、配件清單1份 |
