- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團(tuán)隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.
鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色：
? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
真實基底溫度測量技術(shù)介紹:
如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
鹵素?zé)?/span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品名稱
RTP快速退火爐【柜式】
產(chǎn)品型號
CY-RTP1000-T12-L
腔體尺寸
12英寸
基片尺寸
≤12英寸
升溫速率
A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW
降溫速率
10°C－50°C /s
控溫模式
可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫
控溫精度
±1℃
工作溫度
≤1000℃
測溫位置
測溫點(diǎn)置于樣品處
密封法蘭
水冷式
工作真空
6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通氣氛
可通：氮?dú)?，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計價。
真空測量
標(biāo)準(zhǔn)配置：復(fù)合真空計，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD4+600L/S分子泵組。
供電要求
要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz
水冷機(jī)組
水箱容量40L，zui大揚(yáng)程44m
整機(jī)尺寸
620mm*650mm*870mm
包裝尺寸
780mm*950mm*1000mm
包裝重量
230KG
隨機(jī)配件
1、說明書1本
2、隨機(jī)配件1套
3、配件清單1份
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等
