- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
原子層沉積（ALD）系統是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統通常用于半導體制造、納米技術、光電器件、以及其他高科技領域。
產品特點：
**的厚度控制：ALD通過交替引入不同的前驅體氣體，在基板表面進行自限性反應，每次反應只沉積一個原子層，確保了膜厚的原子級別**控制。
均勻的薄膜覆蓋：該系統能夠在復雜的三維結構和高縱橫比的基板上實現均勻的薄膜沉積，這在傳統的沉積方法中較為困難。
廣泛的材料兼容性：ALD系統可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物、金屬和合金等，適應不同的工藝需求。
高質量薄膜：沉積的薄膜具有高密度、低缺陷和優良的電學和機械性能，適用于高要求的應用場景。
溫和的工藝條件：ALD工藝通常在較低溫度下進行，有利于在熱敏感材料或器件上沉積薄膜。
技術參數：
|
型號 |
CY-200S-ALD |
|
反應腔 |
可以生長*大 8 英寸方形樣品的標準腔體，標準*大樣品高度 20mm；。 基底加熱溫度 RT-400℃可控，控制精度±1℃；腔體烘烤溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃ |
|
沉積模式 |
包括以下 2 種工作模式： 高速沉積的連續模式 TM （Flow TM ） 沉積超高寬深比結構的停流模式 TM （StopFlow TM ） |
|
前驅體源 |
共 5 路前驅體源；1 路為常溫源，4 路為加熱源，加熱溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃；加熱源配備高溫手動閥；標準前驅體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等，制備氧化物，氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關前驅體源。 |
|
前驅體管路 |
所有前驅體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級管路，所有管路加熱溫度RT-150℃可控。 |
|
ALD 閥 |
每一路前驅體配置一個原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥；ALD 閥采用系統集成的表面安裝，維修更換時可以用盲板代替；閥體加熱溫度RT-150℃可控 |
|
真空規 |
進口寬范圍真空規，測量范圍 2x10-4 to 10+3torr |
|
排氣管路 |
排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控；配置截止閥一個，加熱溫度 RT-150℃可控。 |
|
臭氧發生器系統 |
高濃度臭氧發生器，包括管路，裂解器附件；*高產量>15g/h，功率0~300W可調，*大濃度>3.5%(w/w) |
|
升級接口 |
升級6路前驅體源的升級接口； 用于原位升級微波等離子體源或者分子動能系統的硬件軟件接口； 以上升級接口可以實現原位升級，無需將設備返回廠家。 |
|
控制硬件 |
PLC 控制系統。 |
|
控制軟件 |
autoALDTM專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程，以及溫度、壓強等實時監控。 |
|
真空機械泵 |
型號：TRP-6。 |
|
保修 |
1 年免費保修，自驗收之日起。 |
|
安裝培訓 |
工程師現場安裝培訓。 |
主要部件：
|
部件名稱 |
部件說明 |
|
主機 |
8 英寸方形原子層沉積系統 包括： 5路前驅體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶， 4路為加熱源，1路為常溫源 沉積自動控制系統, autoALDTM沉積程序控制軟件, 預裝Windows TM的筆記本電腦, |
|
臭氧發生器系統 |
高濃度臭氧發生器，包括管路，裂解器附件*高產量>15g/h，*大濃度>3.5%(w/w) |
|
高樣品腔蓋 |
用于裝載高(適合高樣品高度 ≤ 20 mm)樣品 |
|
真空機械泵系統 |
機械泵與相關管路 真空機械泵型號：北儀優成 TRP-6 |
應用領域：
1. 半導體制造
柵極氧化物：用于制造先進的半導體器件，如金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。
高k電介質：在集成電路中沉積高介電常數材料，以提高器件性能和降低漏電。
銅互連：通過沉積阻擋層和種子層，改善半導體芯片中的銅互連結構。
2. 存儲器件
DRAM與閃存：在動態隨機存取存儲器（DRAM）和閃存（如3D NAND）中沉積高k材料和導電層，以提升存儲密度和性能。
3. 光電器件
太陽能電池：在薄膜太陽能電池中沉積透明導電氧化物或鈍化層，提升光電轉換效率。
LED和OLED：沉積發光層和電極材料，以提高有機發光二極管（OLED）和發光二極管（LED）的性能。
4. 納米技術
納米結構涂層：在納米線、納米管等復雜納米結構上均勻沉積薄膜，優化光學和電學特性。
量子點涂層：在量子點材料上沉積保護性或功能性薄膜，提高其穩定性和效率。
5. 防護涂層
電子產品：在電子器件上沉積防潮、防腐蝕涂層，延長使用壽命。
醫療器械：在生物材料和植入物上沉積生物相容性涂層，改善其與人體組織的相容性。
6. 催化劑制備
**催化劑層：通過控制催化劑層的厚度和分布，提升催化性能，廣泛應用于化學反應和能源轉化領域。
7. 能源存儲
電池電極：在鋰離子電池和超級電容器中沉積薄膜電極材料，提高能量密度和循環壽命。
燃料電池：用于燃料電池中電極和質子交換膜的薄膜沉積，提升電池效率和耐久性。
8. 傳感器
氣體傳感器：在氣體傳感器上沉積敏感薄膜，提升其對目標氣體的檢測靈敏度和選擇性。
生物傳感器：在生物傳感器上沉積功能性薄膜，增強對生物分子的識別和檢測能力。
9. 顯示技術
薄膜晶體管（TFT）：在液晶顯示器（LCD）和有機發光顯示器（OLED）中用于制造薄膜晶體管，改善顯示器性能。
觸摸屏：在觸摸屏中沉積導電薄膜，提升屏幕的電學性能和觸控靈敏度。
應用案例（在硅片或者玻璃片上沉積Al2O3）
在硅片或玻璃片上使用原子層沉積（ALD）技術沉積氧化鋁（Al2O3）薄膜的過程通常包括以下步驟。該過程主要依賴于前驅體和反應氣體的交替引入，以實現原子級別的薄膜生長。
