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RTP快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，其核心特點(diǎn)是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時(shí)高溫工藝。
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來(lái)把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來(lái)降低氧化速率即會(huì)帶來(lái)另一個(gè)問題，生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來(lái)稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐產(chǎn)品特點(diǎn)：
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
RTP快速退火爐【柜式】 |
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產(chǎn)品型號(hào) |
CY-RTP1000-T12-L |
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腔體尺寸 |
12英寸 |
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基片尺寸 |
≤12英寸 |
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升溫速率 |
A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW |
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降溫速率 |
10°C－50°C /s |
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控溫模式 |
可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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工作溫度 |
≤1000℃ |
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測(cè)溫位置 |
測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處 |
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密封法蘭 |
水冷式 |
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工作真空 |
6.7×10-5Pa～105Pa均可 |
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可通氣氛 |
可通：氮?dú)猓瑲鍤猓鯕獾确俏ｋU(xiǎn)、非腐蝕氣體；如需計(jì)量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計(jì)價(jià)。 |
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真空測(cè)量 |
標(biāo)準(zhǔn)配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa |
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真空系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD4+600L/S分子泵組。 |
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供電要求 |
要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz |
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水冷機(jī)組 |
水箱容量40L，zui大揚(yáng)程44m |
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整機(jī)尺寸 |
620mm*650mm*870mm |
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包裝尺寸 |
780mm*950mm*1000mm |
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包裝重量 |
230KG |
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隨機(jī)配件 |
1、說(shuō)明書1本 |
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2、隨機(jī)配件1套 |
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3、配件清單1份 |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
