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RTP快速退火爐是一種用于半導體制造和材料處理的設備，其核心特點是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時高溫工藝。
RTP快速退火爐應用領域：
1、活化離子注入雜質，形成超薄結合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術。
2、制作高質量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統的技術即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐產品特點：
1. 結構緊湊，節省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
RTP快速退火爐技術參數：
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產品名稱 |
RTP快速退火爐【柜式】 |
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產品型號 |
CY-RTP1000-T12-H |
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腔體尺寸 |
12英寸 |
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基片尺寸 |
≤12英寸 |
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升溫速率 |
B型為標準配置：≤200℃/S,供電要求:AC380V/50Hz/60Hz，功率50KW |
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降溫速率 |
10°C－50°C /s |
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控溫模式 |
可預設曲線，按流程控溫 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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工作溫度 |
≤1000℃ |
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測溫位置 |
測溫點置于樣品處 |
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密封法蘭 |
水冷式 |
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工作真空 |
6.7×10-5Pa～105Pa均可 |
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可通氣氛 |
可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應的MFC，需要額外計價。 |
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真空測量 |
標準配置：復合真空計，量程10-5Pa～105Pa |
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真空系統 |
標準配置：VRD4+600L/S分子泵組。 |
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供電要求 |
要求配備32A2P空氣開關，電源電壓AC380V/50Hz/60Hz |
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水冷機組 |
水箱容量40L，zui大揚程44m |
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整機尺寸 |
620mm*650mm*870mm |
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包裝尺寸 |
780mm*950mm*1000mm |
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包裝重量 |
230KG |
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隨機配件 |
1、說明書1本 |
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2、隨機配件1套 |
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3、配件清單1份 |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
