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CVD（化學氣相沉積）氣相沉積系統是一種常用的薄膜制備技術，通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應，形成薄膜。
1. 反應室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應溫度和材料。
2. 反應氣體：根據所需的薄膜材料和結構，可以使用不同的反應氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應物質和反應條件。
4. 反應時間：根據所需的薄膜厚度和質量，反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。
5. 基底材料：CVD系統可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應用領域：CVD氣相沉積系統廣泛應用于材料科學和工程領域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫學等領域都有重要應用。
技術參數:
產品名稱
CVD化學氣相沉積系統
產品型號
CY-PECVD100-1200-Q
頻電源
信號頻率
13.56MHz±0.005%
功率輸出
0~300W
*大反射功率
100W
反射功率
<3W (*大功率時)
功率穩定性
±0.1%
管式爐
管子材質
高純石英
管子外徑
100mm
爐膛長度
440mm
加熱區長度
200mm+200mm (雙溫區)
連續工作溫度
≦1100℃
溫控精度
±1℃
溫控模式
30段程序控溫
顯示模式
LCD觸摸屏
密封方式
304 不銹鋼真空法蘭
供氣系統
通道數
6通道
測量單元
質量流量計
測量范圍
A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2
B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4
C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4
D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2
E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3
F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar
測量精度
±1.5%F.S
工作壓差
-0.15Mpa~0.15Mpa
接頭規格
1/4" 卡套接頭
氣體混合罐
1L
真空系統
機械泵
雙極旋片泵
抽速
1.1L/S
真空測量
電阻規
極限真空
0.1Pa
抽氣接口
KF16
滑 軌
爐體可以滑動，實現快速降溫
供電電源
AC220V 50Hz
