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- 其他產品
激光鍍膜設備用途：
激光鍍膜設備用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。
激光鍍膜設備技術參數：
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主真空室 |
球型結構，尺寸? 450mm |
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進樣室 |
圓筒型立式結構，尺寸? 150x 150mm |
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真空系統配置 |
主真空室 |
分子泵與機械泵，閥門 |
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進樣室 |
分子泵與機械泵（與主真空室共用），閥門 |
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極限壓力 |
主真空室 |
≦6*10-6Pa（經烘烤除氣后） |
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進樣室 |
≦6*10-3Pa（經烘烤除氣后） |
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恢復真空時間 |
主真空室 |
20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） |
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進樣室 |
20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） |
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旋轉靶臺 |
靶材*大尺寸約60mm；可一次安裝4塊靶材，可實現公轉換靶;每塊靶材可自轉，轉速5~60轉/分
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基片加熱臺 |
樣品尺寸 |
?51 |
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運動方式 |
基片可連續回轉，轉速5~60轉/分 |
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加熱溫度 |
基片加熱zui高溫度800Ｃ±1 C，可控可調 |
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氣路系統 |
質量流量控制器1路，充氣閥1路 |
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可選部件 |
激光器裝置 |
配相干201激光器 |
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激光束掃描裝置 |
二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描 |
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計算機控制系統 |
控制的內容主要有公轉換靶，靶自轉，樣品自轉、樣品控溫、激光束掃描等 |
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設備占地面積 |
主機 |
1800 * 1800mm2 |
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電控柜 |
700 *700mm2（1個）
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