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CY-O1200BG-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃布里奇曼單晶生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。
Bridgeman法晶體生長過程
把晶體生長的原料裝入合適的容器中，在具有單向溫度梯度的Bridgman晶體生長爐內(nèi)進行生長。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結(jié)構(gòu)，為３個區(qū)域（加熱區(qū)、梯度區(qū)和冷卻區(qū)）。加熱區(qū)的溫度高于晶體的熔點，冷卻區(qū)低于晶體熔點，梯度區(qū)的溫度逐漸由加熱區(qū)溫度過渡到冷卻區(qū)溫度，形成一維的溫度梯度。首先將坩堝置于加熱區(qū)進行熔化，并在一定的過熱度下恒溫一段時間，獲得均勻的過熱熔體。然后通過爐體的運動或坩堝的移動使坩堝由加熱區(qū)穿過梯度區(qū)向冷卻區(qū)運動。坩堝進入梯度區(qū)后熔體發(fā)生定向冷卻，首先達到低于熔點溫度的部分發(fā)生結(jié)晶，并隨著坩堝的連續(xù)運動而冷卻，結(jié)晶界面沿著與其運動相反的方向定向生長，實現(xiàn)晶體生長過程的連續(xù)進行。
圖１ Bridgman法晶體生長的基本原理
（ａ）基本結(jié)構(gòu)； （ｂ）溫度分布。
Bridgman法晶體生長一般分為：
垂直Bridgman法
（圖１.所示）坩堝軸線與重力場方向平行，高溫區(qū)在上方，低溫區(qū)在下方，坩堝從上向下移動，實現(xiàn)晶體生長。該方法是*常見的Bridgman法，稱為垂直Bridgman法。
水平Bridgman法
水平Bridgman法其溫度梯度（坩堝軸線）方向垂直于重力場。垂直Bridgman法利于獲得圓周方向?qū)ΨQ的溫度場和對流模式，從而使所生長的晶體具有軸對稱的性質(zhì)；而水平Bridgman法的控制系統(tǒng)相對簡單，并能夠在結(jié)晶界面前沿獲得較強的對流，進行晶體生長行為控制。同時，水平Bridgman法還有利于控制爐膛與坩堝之間的對流換熱，獲得更高的溫度梯度。此外，也有人采用坩堝軸線與重力場成一定角度的傾斜Bridgman法進行晶體生長。而垂直Bridgman法也可采用從上向下生長的方式。
技術(shù)參數(shù)
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產(chǎn)品名稱 |
1100℃布里奇曼單晶生長爐 |
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產(chǎn)品型號 |
CY-O1200BG-Φ50-100×100-V-T |
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工作電壓： |
220V |
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*大功率 |
1.5 KW |
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兩個加熱區(qū) |
每個加熱區(qū)長度100 mm ，總加熱區(qū)長度200 mm L |
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*高工作溫度 |
1200°C |
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連續(xù)工作溫度 |
1100°C |
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兩個可編程數(shù)字溫度控制器，分別控制兩個加熱區(qū)l *大溫度梯度：1oC/Cm |
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用戶需要探索所長晶體*合適的溫度梯度 |
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調(diào)節(jié)兩個加熱區(qū)的溫度，來形成不同的溫度梯度 |
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調(diào)節(jié)爐體的開啟大小，也可以改變溫度梯度 |
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石英管（2英寸石英管（50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L）帶有密封法蘭） |
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鉑絲：*高可承受溫度1600℃ 懸掛絲可穿過法蘭，若爐管內(nèi)保持正壓，可在氣氛保護環(huán)境下生長晶體 對于氧敏感材料，樣品可封裝在小的石英管內(nèi) |
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電機和控制 |
速度范圍: 0.03-90 mm/h （可調(diào)），精度：+/- 0.05% 可選購更**的提拉機構(gòu)，速度為：0.4mm/h 總移動行程: 450mm 電機功率: 50W |
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產(chǎn)品尺寸 |
560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H) |
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凈重 |
105公斤（230磅） |
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