表1.各種薄膜沉積方式的優劣對比

項目	原子層沉積(ALD)	物liqi相沉積(PVD)	化學氣相沉積(CVD)	低壓化學氣相沉積（LPCVD爐管）
沉積原理	表面反應-沉積	蒸發-凝固	氣相反應-沉積	低壓化學氣相沉積（爐管式）
沉積過程	層狀生長	形核長大	形核長大	形核長大
臺階覆蓋力	優良	一般	好	好
沉積速率	慢	快	快	較慢
沉積溫度	低	低	高	更高
沉積層均勻性	youxiu	一般	較好	更好
厚度控制	反應循環數	沉積時間	沉積時間，氣相分壓	沉積時間，氣體比
成分	均勻雜質少	無雜質	易含雜質	無雜質

表2. 薄膜沉積設備概況

沉積材料	薄膜沉積設備	特點	工藝溫度
氧化硅 氮化硅 氮氧化硅	等離子體增強化學氣相沉積系統	PECVD， 高溫	300-400℃
	電感耦合等離子體化學氣相沉積設備	ICPCVD， 低溫沉積二氧化硅，氮化硅薄膜	<70℃或<300℃
	電子束蒸發鍍膜設備（E-Gun）	可實現+/-45度的斜角蒸發。	RT-200℃
	多靶磁控濺射鍍膜系統	氧化硅 可實現原位基片清洗、多層復合薄膜、多靶共濺復合薄膜沉積；	RT-60℃
	等離子體增強原子層沉積設備	沉積多種超薄高保形性、高臺階覆蓋能力的介質薄膜材料，如金屬氧化物，厚度可實現原子層的控制（1 atom-layer/cycle）。	室溫?500°C
	臥式氧化擴散爐管（WDFSOXD03）	1. 高品質氧化硅的干氧氧化； 2. 超厚氧化硅的濕氧氧化。	1100℃
	臥式低壓化學氣相沉積爐管（WDFSLPF02）	1. 高品質氮化硅（Si3N4)薄膜沉積； 2. 高品質低應力氮化硅（Si3N4)薄膜沉積； 3. 氮氧化硅薄膜沉積。	750℃
金屬薄膜	電子束蒸發鍍膜設備（E-Gun）	可實現+/-45度的斜角蒸發。	22℃-200℃
	多靶磁控濺射鍍膜系統	1. 多種金屬 2. 可實現原位基片清洗、多層復合薄膜、多靶共濺復合薄膜沉積； 3. 原位基片加熱（250℃）。	22℃—60℃
	超高真空濺射系統	磁性材料濺射需與平臺聯系確認。	烘烤溫度≤300℃
	離子束濺射系統	1. 沉積各類金屬薄膜； 2. 磁性材料沉積需與平臺聯系確認。	靶面溫度≤100℃, 臺面溫度5℃－25℃
	電子束蒸發系統	蒸鍍鋁、銅、銀、鉭等薄膜，	烘烤溫度≤300℃
	器件實驗制備系統	金屬Al的蒸鍍	烘烤溫度≤200℃
非晶硅 多晶硅	等離子體增強化學氣相沉積系統	非晶硅沉積	300-400℃
	臥式低壓化學氣相沉積爐管（WDFSLPF01）	1. 高品質非晶硅或多晶硅沉積； 2. 非晶硅及多晶硅沉積時的同步N型摻雜。	530℃
金屬氧化物 金屬氮化物 氧化物半導體薄膜	多靶磁控濺射鍍膜系統	1. 可實現原位基片清洗、多層復合薄膜、多靶共濺復合薄膜沉積； 2. 原位金屬氧化與氮化薄膜沉積； 3. 原位基片加熱（250℃）。	22℃—60℃
	等離子體增強原子層沉積設備	沉積多種超薄高保形性、高臺階覆蓋能力的介質薄膜材料，厚度可實現原子層的控制（1 atom-layer/cycle）。沉積較慢，厚膜需要較長時間。	室溫?500°C
	全自動多靶濺鍍系統	以氧化物半導體薄膜為主	基板加熱系統:≤300℃

表3. 金屬薄膜沉積能力概況

Au

Al

Cu

Ni

Cr

Pt

Sn

Ge

Ti

Ta

Mo

W

Ag

Pd

等離子體增強化學氣相沉積系統

電感耦合等離子體化學氣相沉積設備

電子束蒸發鍍膜設備

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多靶磁控濺射鍍膜系統

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等離子增強原子層沉積設備

超高真空濺射機

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離子束濺射系統

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全自動多靶磁控濺射儀

電子束蒸發系統

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器件實驗制備系統

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