RTP快速退火爐的技術指標

日期：2025-10-28 07:50

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摘要：

RTP快速退火爐可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐，快速熱處理設備（RTP）具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。

RTP快速退火爐主要技術指標

　　l、外形尺寸：550×650×650mm（長×寬×高）

　　2、爐內體尺寸：327×249×123mm（長×寬×高）

　 3、工作室采用進口GE石英，外徑尺寸：290×230×24mm（長×寬×高）；表面進行磨砂處理

　　4、不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計，內表面采用鍍金處理，減小熱損失，極大提高了反射效率

　　5、水冷卻，確保燈箱散熱與快速降溫

　　6、風扇冷卻保證加熱燈的冷卻

　　7、大溫度范圍150℃—1000℃，K型熱電偶

　　8、升溫速率：0.01—100℃/s可預設定

　　9、氣體：兩路美國進口浮子流量計控制，流量：0—5L/min

　　10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度

　　11、可編程多條溫度曲線

　　l2、雙閉環控制溫度，穩態溫度穩定性±1℃

　　l3、光源：1200W×21只鹵鎢燈

　　l4、電源：AC380V；63A三相

　　l5、有效加熱區：180×180mm

　　l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板

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